| 型号： | ZHB6792TA | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANS H-BRIDGE BIPO SOT223-8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| ZHB6792TA PDF |  |
| 产品目录绘图 | SM-8, SOT223-8 |
| 其它图纸 | SM-8, SOT223-8 Top SM-8, SOT223-8 Pin Out |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 NPN + 2 PNP （H 半桥） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 70V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 750mV @ 50mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 300 @ 100mA，2V |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1470 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZHB6792DKR |